[发明专利]具有降低的寄生电容的半导体元件在审
| 申请号： | 201710347125.5 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108666369A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 周淳朴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件包括：衬底以及晶体管，所述晶体管包括形成在所述衬底上的源极、漏极及栅极。所述半导体元件进一步包括：深井，其形成在所述衬底中位于所述衬底的表面之下的预定距离处；以及触点，其被配置成将所述深井电耦合至电压源，使得电压能够施加至所述深井而生成用于降低所述晶体管与所述衬底之间的寄生电容的衬底耗尽区。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体元件 晶体管 深井 寄生电容 预定距离 电压源 电耦合 耗尽区 触点 漏极 源极 施加 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包括：衬底；晶体管，其包括在所述衬底上形成的源极、漏极及栅极；深井，其形成在所述衬底中位于所述衬底的表面之下的预定距离处；以及触点，其被配置成将所述深井电耦合至电压源，使得电压能够施加至所述深井而生成衬底耗尽区。
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