[发明专利]脊状发光二极管在审
| 申请号： | 201710347986.3 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107275453A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种脊状发光二极管，包括SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge‑Sn合金层、N型Ge‑Sn合金层、P型Ge‑Sn合金层，其中所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；所述脊状Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；所述N型Ge‑Sn合金层和P型Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge‑Sn合金层两侧。本发明利用LRC工艺处理Ge外延层，横向释放Ge外延层的位错缺陷，获得低位错密度的Ge外延层；同时，由于LRC工艺可精确控制晶化区域，Si与Ge之间材料界面特性好，从而提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种脊状发光二极管，其特征在于，包括：SOI衬底层、晶化Ge层、脊状Ge‑Sn合金层、N型Ge‑Sn合金层、P型Ge‑Sn合金层，其中：所述晶化Ge层位于所述SOI衬底层之上；所述脊状Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上中间位置；所述N型Ge‑Sn合金层和所述P型Ge‑Sn合金层位于所述晶化Ge层表面之上所述脊状Ge‑Sn合金层两侧。
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