[发明专利]一种可重构的均衡电路结构与控制方法在审

专利信息
申请号: 201710349643.0 申请日: 2017-05-17
公开(公告)号: CN107221718A 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 徐俊;王霄;梅雪松 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01M10/42 分类号: H01M10/42;H02J7/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司61200 代理人: 王霞
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开的可重构的均衡电路结构,属于电池均衡和重构技术领域。电路结构由电池组与电池组熔断丝Fs串联构成;其中,电池组包括n个串联的电池模块BMi;电池模块BMi包括电池单体Bi、熔断丝Fi、N沟道MOSFET Mi和驱动电路Di;电池单体Bi和熔断丝Fi串联,电池单体Bi和熔断丝Fi的两端分别与N沟道MOSFET Mi的漏极和源极相连,N沟道MOSFET Mi的栅极与驱动电路Di相连,形成环路。本发明根据所提出的可重构均衡电路拓扑结构实现了无泄放电阻的被动均衡,以及电池组中的故障电池模块被旁路,实现重构。在很好的保证串联电池组的均衡功能并具有很好的重构功能的同时,有效的减少开关的使用,使整个控制系统及其驱动系统都能得到相应的简化,从而有效降低该电路的成本。
搜索关键词: 一种 可重构 均衡 电路 结构 控制 方法
【主权项】:
一种可重构的均衡电路结构,其特征在于,由电池组与电池组熔断丝Fs串联构成;其中,电池组包括n个串联的电池模块BMi;所述电池模块BMi包括电池单体Bi、熔断丝Fi、N沟道MOSFETMi和驱动电路Di;电池单体Bi和熔断丝Fi串联,电池单体Bi和熔断丝Fi的两端分别与N沟道MOSFETMi的漏极和源极相连,N沟道MOSFETMi的栅极与驱动电路Di相连,形成环路。
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