[发明专利]一种硅片的干燥方法在审
| 申请号： | 201710350286.X | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108962720A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 徐亚志 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片的干燥方法，该方法包括连续提拉支承有硅片的承载台，使完全浸泡在纯水中的硅片逐渐提拉出水面；自远离水面的方向连续提拉位于水面上方的夹紧装置；在硅片部分提拉出水面的预定时刻，提拉中的夹紧装置抓取提拉中的承载台上的所述硅片，并继续提拉夹紧装置，使所述硅片继续提拉出水面，直至所述硅片完全从水面中拉出。本发明避免了在将硅片从纯水中提拉出来的过程中硅片有短暂的停留，进而避免了在硅片上形成水迹残留。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 提拉 夹紧装置 出水面 水面 抓取 预定时刻 承载台 拉出 水迹 水中 支承 浸泡 残留 承载 停留 | ||
【主权项】：
1.一种硅片干燥法方法，其特征在于，包括：连续提拉支承有硅片的承载台，使完全浸泡在纯水中的硅片逐渐提拉出水面；自远离水面的方向连续提拉位于水面上方的夹紧装置；在硅片部分提拉出水面的预定时刻，提拉中的夹紧装置抓取提拉中的承载台上的所述硅片，并继续连续提拉夹紧装置，使所述硅片继续提拉出水面，直至所述硅片完全从水面中拉出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司，未经上海新昇半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710350286.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有防护结构的大功率金属卤化物灯
- 下一篇：半导体装置的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
