[发明专利]一种优化掩模版图的方法有效
| 申请号： | 201710351038.7 | 申请日： | 2017-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN108931883B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 施伟杰;高澎铮 | 申请（专利权）人： | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司;深圳晶源信息技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人： | 蔺显俊;梁琴琴 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种优化掩模版图的方法，包括步骤S1：提供已布局的芯片设计图形的掩模版图，掩模版图包括第一主图形以及布设在第一主图形周围的多个第一亚分辨率辅助图形，还包括第二主图形以及布设在第二主图形周围的多个第二亚分辨率辅助图形，所述第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形定义一冲突区域；步骤S2：在掩模版图上截取所述冲突区域，并获取该冲突区域的透光率分布灰度图，根据透光率分布灰度图的灰度值统计量大小为该冲突区域内的亚分辨率辅助图形设定优先级；步骤S3：去除优先级低的亚分辨率辅助图形，获取优化后的掩模版图。本发明可以有效的补充主图形周围的空间频率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 模版 方法 | ||
【主权项】：
1.一种优化掩模版图的方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤S1：提供已布局的芯片设计图形的掩模版图，所述掩模版图包括第一主图形以及布设在第一主图形周围的多个第一亚分辨率辅助图形，所述掩模版图还包括第二主图形以及布设在第二主图形周围的多个第二亚分辨率辅助图形，所述第一亚分辨率辅助图形和第二亚分辨率辅助图形定义一冲突区域；步骤S2：在掩模版图上截取所述冲突区域，并获取该冲突区域的透光率分布灰度图，根据所述透光率分布灰度图的灰度值统计量大小为该冲突区域内的亚分辨率辅助图形设定优先级；步骤S3：去除优先级低的亚分辨率辅助图形，获取优化后的掩模版图。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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