[发明专利]在集成电路中形成至少一个电中断的方法及相应集成电路在审
| 申请号： | 201710351609.7 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN108091576A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | C·里韦罗;P·弗纳拉;G·鲍顿;M·利萨特 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本申请涉及在集成电路中形成至少一个电中断的方法及相应集成电路。提供一种集成电路，包括在半导体衬底(SB)上方的大量导电焊盘，该大量导电焊盘分别位于该集成电路的部件区与该集成电路的第一金属化层级之间并且包封在绝缘区(RIS2)中，该大量焊盘包括与相应第一部件区(Z1)电接触的第一焊盘(PLT1)以及不与相应第二部件区(Z2)电接触的至少一个第二焊盘，以形成至少一个电中断。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 部件区 电中断 焊盘 导电焊盘 电接触 金属化 绝缘区 包封 层级 衬底 半导体 申请 | ||
【主权项】：
1.一种用于在集成电路中形成至少一个电中断的方法，所述方法包括在半导体衬底(SB)上方制造大量导电焊盘，所述大量导电焊盘分别位于所述集成电路的部件区与所述集成电路的第一金属化层级之间并且包封在绝缘区(RIS2)中，所述大量焊盘包括与相应的第一部件区(Z1)电接触的第一焊盘(PLT1)以及不与相应的第二部件区(Z2)电接触的至少一个第二焊盘(PLT2)，以形成所述至少一个电中断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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