[发明专利]一种垂直腔面发射半导体激光器制备方法有效
| 申请号： | 201710352038.9 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107069423B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 魏志鹏;唐吉龙;方铉;王新伟;楚学影;王登魁;王菲;冯源;张晶;王晓华 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极可有效解决垂直腔面发射半导体激光器电极制备工艺复杂、光面积小的问题。该电极为石墨烯材料，用化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜制备在铜箔上，然后通过有胶迁移的方式将石墨烯薄膜迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面，最后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线。这种电极利用石墨烯材料零带隙、高的导电导热特性，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 发射 半导体激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直腔面发射半导体激光器电极，该电极采用单层或多层石墨烯薄膜材料，通过化学气相沉积(CVD)方法将石墨烯薄膜层制备在铜箔上，然后采用有胶迁移的方式将石墨烯薄膜层迁移到垂直腔面发射半导体激光器芯片衬底和P‑DBR侧的外表面，然后在出光侧石墨烯薄膜层上制备金接触点并引出金属导线，其特征在于，这种垂直腔面发射半导体激光器电极采用石墨烯薄膜层，采用CVD方法制备在铜箔上，然后采用有胶迁移的方式将石墨烯薄膜层迁移到激光器芯片上，这种电极利用石墨烯薄膜对激光器有源区发射的光子不存在吸收，有效的提高了垂直腔面发射半导体激光器的出光面积，同时，这种电极具有较好的导电特性和散热特性，使器件在较大出光口径时保持电流均匀注入，器件产生的热量能够快速有效散失，实现器件输出功率的提高并保持较好的光斑质量。
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