[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710352139.6 | 申请日： | 2013-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107123688B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;佐佐木俊成;羽持贵士;宫本敏行;野村昌史;肥塚纯一;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极；覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜；与所述栅电极重叠的氧化物半导体膜，所述栅极绝缘膜在所述氧化物半导体膜和所述栅电极之间；电连接至所述氧化物半导体膜的源电极和漏电极；所述氧化物半导体膜、所述源电极和所述漏电极上的第一绝缘膜；以及所述第一绝缘膜上的第二绝缘膜，其中，在25℃用0.5wt％的氢氟酸对所述第一绝缘膜进行蚀刻的蚀刻速度低于或等于10nm/min。
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