[发明专利]一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板有效

专利信息
申请号: 201710352591.2 申请日: 2017-05-18
公开(公告)号: CN107093562B 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 李云泽;杨妮;齐智坚;李少茹 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L27/12;H01L21/027;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及显示装置制备技术领域,公开了一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板,该有机膜基板制备方法,包括:在衬底基板上形成结构器件层,在结构器件层上形成钝化层;在钝化层上形成有机膜层、并通过构图工艺形成有机膜层图案;在有机膜层上涂覆光刻胶涂层,并采用半曝光工艺对光刻胶涂层进行曝光显影处理。采用上述有机膜基板制备方法制备有机膜产品,既可以节省一道构图工序,降低成本,又可以避免有机膜层受损,保持有机膜层原位膜面,以及使焊接电极处留有钝化层得到保护,有利于改善焊接电极腐蚀,提升产品的良率及信赖性。
搜索关键词: 一种 有机 膜基板 制备 方法 以及 显示 面板
【主权项】:
1.一种有机膜基板制备方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上形成结构器件层,所述结构器件层包括有效显示区域和周边焊接区域;在所述结构器件层上形成钝化层;在所述钝化层上形成有机膜层、并通过构图工艺形成有机膜层图案;在所述有机膜层和所述钝化层上涂覆光刻胶涂层,并采用半曝光工艺对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理,其中,对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理时,对所述光刻胶涂层中在所述有效显示区域以及所述周边焊接区域内需要对所述钝化层进行刻蚀的部位全部去除,并且对所述光刻胶涂层中与所述有机膜层上需要形成电极的部位对应的部分进行部分去除;对所述钝化层进行刻蚀、且在对所述钝化层进行刻蚀过程中利用刻蚀余量将光刻胶涂层中的部分去除部位剩余的光刻胶损伤去除。
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