[发明专利]一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板有效
申请号: | 201710352591.2 | 申请日: | 2017-05-18 |
公开(公告)号: | CN107093562B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 李云泽;杨妮;齐智坚;李少茹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L27/12;H01L21/027;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示装置制备技术领域,公开了一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板,该有机膜基板制备方法,包括:在衬底基板上形成结构器件层,在结构器件层上形成钝化层;在钝化层上形成有机膜层、并通过构图工艺形成有机膜层图案;在有机膜层上涂覆光刻胶涂层,并采用半曝光工艺对光刻胶涂层进行曝光显影处理。采用上述有机膜基板制备方法制备有机膜产品,既可以节省一道构图工序,降低成本,又可以避免有机膜层受损,保持有机膜层原位膜面,以及使焊接电极处留有钝化层得到保护,有利于改善焊接电极腐蚀,提升产品的良率及信赖性。 | ||
搜索关键词: | 一种 有机 膜基板 制备 方法 以及 显示 面板 | ||
【主权项】:
1.一种有机膜基板制备方法,其特征在于,所述方法包括:在衬底基板上形成结构器件层,所述结构器件层包括有效显示区域和周边焊接区域;在所述结构器件层上形成钝化层;在所述钝化层上形成有机膜层、并通过构图工艺形成有机膜层图案;在所述有机膜层和所述钝化层上涂覆光刻胶涂层,并采用半曝光工艺对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理,其中,对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理时,对所述光刻胶涂层中在所述有效显示区域以及所述周边焊接区域内需要对所述钝化层进行刻蚀的部位全部去除,并且对所述光刻胶涂层中与所述有机膜层上需要形成电极的部位对应的部分进行部分去除;对所述钝化层进行刻蚀、且在对所述钝化层进行刻蚀过程中利用刻蚀余量将光刻胶涂层中的部分去除部位剩余的光刻胶损伤去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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