[发明专利]不同Ba2+/Sr2+比钛酸锶钡铁电薄膜的微弧氧化可控制备技术在审

专利信息
申请号: 201710354538.6 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN108866600A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 王敏 申请(专利权)人: 广东技术师范学院
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510665 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及不同Ba2+/Sr2+比钛酸锶钡铁电薄膜的微弧氧化可控制备技术,包括以下步骤:(1)对钛基体进行预处理;(2)将预处理后的钛基体连接到阳极,置于微弧氧化电解液中进行微弧氧化,反应5~10min,在钛基体表面生成钛酸锶钡铁电薄膜;所述微弧氧化电解液包括以下成分:氢氧化钡0.5~1.0mol/L;氢氧化锶0~0.5mol/L(3)将步骤(2)处理后的钛基体置于蒸馏水中浸泡1~2小时,最后烘干。本发明能在Ti基体上原位生长不同Ba2+/Sr2+比的钛酸锶钡铁电薄膜,制备工艺简单,可在常温下进行,无需后续热处理,环保、无污染。
搜索关键词: 铁电薄膜 钛酸锶钡 微弧氧化 钛基体 微弧氧化电解液 预处理 可控制 蒸馏水 钛基体表面 热处理 阳极 氢氧化钡 氢氧化锶 原位生长 制备工艺 常温下 烘干 浸泡 环保
【主权项】:
1.在钛基体表面原位生长不同Ba2+/Sr2+比钛酸锶钡铁电薄膜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)对钛基体进行预处理;(2)将预处理后的钛基体连接到阳极,置于微弧氧化电解液中进行微弧氧化,反应5~10min,在钛基体表面生成钛酸锶钡铁电薄膜;所述微弧氧化电解液包括以下成分:氢氧化钡 0.5mol/L~1.0mol/L;氢氧化锶 0mol/L~0.5mol/L;(3)将步骤(2)处理后的钛基体置于蒸馏水中浸泡1~2小时,最后烘干。
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