[发明专利]功函数调节层的制造方法

摘要

本发明公开了一种功函数调节层的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：将用于形成半导体器件的基底放入反应腔室，然后执行第一主步骤和第二主步骤以在该基底上形成用作功函数调节层的钛铝合金层；第一主步骤包括：第一子步骤，包括：向反应腔室中通入含钛的第一前驱体；以及第二子步骤，包括：向反应腔室中通入含铝的第二前驱体，第二前驱体与第一前驱体发生反应以形成钛铝合金；第二主步骤包括：第三子步骤，包括：向反应腔室中通入含铝的第三前驱体，其中，第三前驱体的分子量小于第二前驱体的分子量，第三前驱体与第一前驱体发生反应以形成钛铝合金。本发明可以减小长沟道器件和短沟道器件的Al/Ti比值的差值，从而改善半导体器件的阈值电压的均匀性。

主权项

1.一种功函数调节层的制造方法，其特征在于，包括：将用于形成半导体器件的基底放入反应腔室，然后执行第一主步骤和第二主步骤以在所述基底上形成用作功函数调节层的钛铝合金层；所述第一主步骤包括：第一子步骤，包括：向所述反应腔室中通入含钛的第一前驱体；以及第二子步骤，包括：向所述反应腔室中通入含铝的第二前驱体，所述第二前驱体与所述第一前驱体发生反应以形成钛铝合金；所述第二主步骤包括：第三子步骤，包括：向所述反应腔室中通入含铝的第三前驱体，其中，所述第三前驱体的分子量小于所述第二前驱体的分子量，所述第三前驱体与所述第一前驱体发生反应以形成钛铝合金。