[发明专利]改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法有效
| 申请号： | 201710355804.7 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807262B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 杨风波 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造（厦门）有限公司;联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361101 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法，其步骤包含形成一低介电材料层以及在所述低介电(low‑k)材料层上形成与其接触的一氮氧化硅(SiON)层，其中形成所述氮氧化硅层的步骤包含先对所述低介电材料层的表面进行一原位氦处理，接着在同一制作工艺腔体中形成所述氮氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 低介电 材料 氧化 之间 介面 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善低介电材料层与氮氧化硅层之间介面的方法，其特征在于，包含：形成一低介电材料层；以及在该低介电材料层上形成与该低介电材料层接触的一氮氧化硅层，其中形成该氮氧化硅层的步骤包含先对该低介电材料层的表面进行一原位(in‑situ)氦处理，接着在同一制作工艺腔体中形成该氮氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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