[发明专利]集成电路

摘要

一种集成电路，包含第一与第二静态随机存取记忆体(SRAM)单元。第一SRAM单元包含第一与第二上拉装置、与第一与第二上拉装置共同形成第一与第二交叉耦合反相器的第一与第二下拉装置、与第一及第二交叉耦合反相器共同配置以写入数据的第一与第二通道闸装置、耦接到第一反相器的读取下拉装置、及耦接到读取下拉装置的读取通道闸装置。第二SRAM单元包含第三与第四上拉装置及与第三与第四上拉装置共同形成第三与第四交叉耦合反相器的第三与第四下拉装置。第一上拉装置、第一下拉装置与第三上拉装置的栅极的功函数层分别具有相异的第一、第二与第三功函数。

主权项

一种集成电路，其特征在于，包含：一第一静态随机存取记忆体单元，位于一半导体基板上，其中该第一静态随机存取记忆体单元包含：一第一上拉装置与一第二上拉装置；一第一下拉装置与一第二下拉装置，与该第一上拉装置及该第二上拉装置形成一第一交叉耦合反相器与一第二交叉耦合反相器以储存数据；一第一通道闸装置与一第二通道闸装置，与该第一交叉耦合反相器及该第二交叉耦合反相器配置以写入数据；一读取下拉装置，与该第一交叉耦合反向器相耦接；以及一读取通道闸装置，与该读取下拉装置相耦接，以读取数据；以及一第二静态随机存取记忆体单元，位于该半导体基板上，其中该第二静态随机存取记忆体单元包含：一第三上拉装置与一第四上拉装置；一第三下拉装置与一第四下拉装置，与该第三上拉装置及该第四上拉装置形成一第三交叉耦合反相器与一第四交叉耦合反相器以储存数据；以及一第三通道闸装置与一第四通道闸装置，与该第三交叉耦合反相器与该第四交叉耦合反相器配置以存取数据；其中该第一上拉装置的一栅极包含具有一第一功函数的一第一功函数层；其中该第一下拉装置的一栅极包含具有一第二功函数的一第二功函数层，且该第二功函数不同于该第一功函数；其中该第三上拉装置的一栅极包含具有一第三功函数的一第三功函数层，且该第三功函数不同于该第一功函数与该第二功函数。