[发明专利]一种多聚酞菁化合物、有机场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201710356744.0 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107033152A | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 高雪;刘飞;赵合彬;石广东 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | C07D487/22 | 分类号： | C07D487/22;C09K11/06;H01L51/30;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 柴亮,张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多聚酞菁化合物、有机场效应晶体管及其制备方法，属于有机化合物合成技术领域，其可解决现有的多聚酞菁类化合物的合成、分离比较困难，很难应用于OFET中的问题。本发明的多聚酞菁化合物为基于平面的双核酞菁双层三明治化合物，本发明的多聚酞菁化合物制备方法简单，适合作为有机场效应晶体管的半导体材料应用，将其用于OFET中后，半导体材料层的电子迁移率达到1.0‑1.5cm2/(V·s)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多聚酞菁 化合物 有机 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多聚酞菁化合物，其特征在于，其分子结构式如下：
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