[发明专利]一种膜层的掺杂方法、薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201710357418.1 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107154346B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王学伟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/22;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种膜层的掺杂方法、薄膜晶体管及其制作方法，用以简化工艺流程，提高产能，提升产品良率。膜层的掺杂方法包括：在衬底基板上通过构图工艺制作一层待掺杂的膜层，该膜层包括第一区、第二区和第三区，第一区位于中间区，第三区位于边缘区，第二区位于第一区和第三区之间；在膜层上通过构图工艺依次形成第一阻挡层和第二阻挡层，第一阻挡层在膜层上的正投影区域覆盖第一区，第二阻挡层在膜层上的正投影区域覆盖第一区和第二区；采用与衬底基板垂直的离子束对膜层进行第一次掺杂，完成第三区的掺杂；将衬底基板沿平行于离子束的方向旋转预设角度，使得第二阻挡层不遮挡第二区，采用离子束对膜层进行第二次掺杂，完成第二区的掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 方法 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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