[发明专利]芯片封装体有效

专利信息
申请号: 201710358120.2 申请日: 2017-05-19
公开(公告)号: CN107403782B 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: M·鲍尔;J·丹格尔迈尔;R·恩格尔;J·加特鲍尔;F·希勒;M·许廷格;W·卡纳特;H·克尔纳;J·马勒;B·吕勒;F·J·桑托斯罗德里格斯;A·韦莱伊 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/49 分类号: H01L23/49;H01L21/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周家新;蔡洪贵
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在各种实施例中,提供了芯片封装体。所述芯片封装体可包括:芯片;包括非贵金属并且电接触所述芯片的金属接触结构;封装材料;和保护层,所述保护层包括或基本上由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成,其中,所述保护层可包括贵金属,所述保护层的所述部分可包括多个不含所述贵金属的区域,所述不含所述贵金属的区域可提供所述封装材料与所述金属接触结构的非贵金属之间的接合面。
搜索关键词: 芯片 封装
【主权项】:
一种芯片封装体,包括:包括芯片金属表面的芯片;金属接触结构,所述金属接触结构电接触所述芯片金属表面;封装材料;和保护层,所述保护层包括或由在所述金属接触结构的一部分与所述封装材料之间的接合面处形成的部分组成;其中,所述保护层包括或基本上由无机材料的组中的至少一种材料组成,所述组由以下无机材料组成:氧化铝;氧化铜;无定形或结晶二氧化硅;原硅酸四乙酯;氮化物;磷酸盐;碳化物,硼化物,铝酸盐;无定形碳或其他富碳材料;Al、Ta、Co、Ti、W、Co(P)、CoWP、V、Mn、Zr、Mo、Au、Ru、Rh、Zr、Re、Ir、Si;包括氮和所述芯片金属表面的金属和/或所述金属接触结构的金属的化合物;和包括硅和所述芯片金属表面的金属和/或所述金属接触结构的金属的化合物。
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