[发明专利]一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板有效
| 申请号： | 201710358507.8 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107170679B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 宫奎;段献学 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28;H01L23/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种导电图形的制作方法、导电图形及显示基板。制作方法包括：在衬底上形成导电层；在所述导电层上形成保护层的图形；以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀，形成导电过渡图形；以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀以形成导电图形，所述导电图形的刻蚀侧面具有坡度；去除所述保护层的图形。在本发明的方案中，先通过等离子体轰击刻蚀导电层，形成导电图形的雏形结构，之后再使用湿法刻蚀进行快速刻蚀，最终形成具有坡度的导电图形，由于整个过程中湿法刻蚀耗时较短，因此不易使导电图形发生过刻蚀现象，从而能够得到完整的导电图形结构，能够提高产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 图形 制作方法 显示 | ||
【主权项】：
1.一种导电图形的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底上形成导电层；/n在所述导电层上形成保护层的图形；/n以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电层进行等离子体轰击刻蚀，形成导电过渡图形；/n以所述保护层的图形为掩膜，对所述导电过渡图形进行湿法刻蚀以形成导电图形，所述导电图形的刻蚀侧面具有坡度；/n去除所述保护层的图形。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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