[发明专利]一种晶体管结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种晶体管结构及其制备方法，制备方法包括如下步骤1)提供一衬底，于衬底内形成沟槽结构；2)形成介电层于沟槽结构的底部及侧壁；3)形成双导电层结构于介电层表面，双导电层结构包括形成于介电层底部及局部侧壁的第一导电层，以及第二导电层，第二导电层包含结合于第一导电层内的填充部及位于填充部顶上的凸起部，其中，所述第一导电层的顶端低于所述衬底的上表面，所述凸起部的顶部高于所述第一导电层的顶端且低于所述衬底的上表面。通过上述方案，本发明的晶体管结构提高了栅极字线的高度，减小了栅极字线的电阻，减少了器件的访问时间；增加了P/N结与漏极之间的距离，减小了栅极附近的电场，降低了栅极诱导漏极漏电流。

主权项

一种晶体管结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一衬底，于所述衬底内形成沟槽结构；2)形成介电层于所述沟槽结构的底部及侧壁；以及3)形成双导电层结构于所述介电层表面，所述双导电层结构包括形成于所述介电层底部及局部侧壁的第一导电层以及第二导电层，所述第二导电层包含结合于所述第一导电层内的填充部及位于所述填充部上的凸起部，其中所述第一导电层的顶端低于所述衬底的上表面，所述凸起部的顶部高于所述第一导电层的顶端且低于所述衬底的上表面。