[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板有效
| 申请号： | 201710361808.6 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN106952964B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 张慧娟;李栋;李小龙;李良坚;刘政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11291 北京同达信恒知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，以改善现有技术中采用循序性横向晶化制备薄膜晶体管时，由于栅极绝缘层厚度不一致导致的薄膜晶体管的阈值电压不稳定的问题。所述薄膜晶体管的制作方法，包括：通过循序性横向晶化法在衬底基板之上形成多晶硅有源层；在所述多晶硅有源层之上形成栅极绝缘层，其中，形成的所述栅极绝缘层内厚度差在第一预设范围内；薄化所述晶粒内部区的所述栅极绝缘层，使薄化后的所述栅极绝缘层内厚度差在第二预设范围内，其中，所述第二预设范围小于所述第一预设范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示 面板 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：/n通过循序性横向晶化法在衬底基板之上形成多晶硅有源层，所述多晶硅有源层的表面具有多个凸起结构，所述凸起结构所在区域作为晶界区，相邻两个所述凸起结构之间所在区域作为晶粒内部区；/n在所述多晶硅有源层之上形成栅极绝缘层，其中，形成的所述栅极绝缘层内厚度差在第一预设范围内；/n薄化所述晶粒内部区的所述栅极绝缘层，使薄化后的所述栅极绝缘层内厚度差在第二预设范围内，其中，所述第二预设范围小于所述第一预设范围。/n
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