[发明专利]一种石墨烯图形化生长方法在审

专利信息
申请号: 201710364847.1 申请日: 2017-05-22
公开(公告)号: CN107311159A 公开(公告)日: 2017-11-03
发明(设计)人: 张大勇;金智;史敬元;彭松昂;黄昕楠;姚尧 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: C01B32/188 分类号: C01B32/188;C01B32/186
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 代理人: 张瑾
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种石墨烯图形化生长方法,其中包括步骤一、在衬底表面形成镍层,用于提供石墨烯的生长衬底;步骤二、将表面图形化模板覆盖在所述镍层表面,在所述镍层表面生成与所述表面图形化模板相对应的石墨烯图形。本发明能够利用覆盖在金属镍表面的图形化模板对镍表面石墨烯生长的选择性限制作用,在金属镍表面生成图形化石墨烯。本发明工艺简单,生产效率高,并且图形化模板可以重复利用,有效避免石墨烯表面的污染。
搜索关键词: 一种 石墨 图形 化生 方法
【主权项】:
一种石墨烯图形化生长方法,其特征在于,包括:步骤一、在衬底表面形成镍层,用于提供石墨烯的生长衬底;步骤二、将表面图形化模板覆盖在所述镍层表面,在所述镍层表面生成与所述表面图形化模板相对应的石墨烯图形。
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