[发明专利]高频功率放大电路有效
申请号: | 201710365712.7 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107453721B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 应忠于;连增水 | 申请(专利权)人: | 公安海警学院 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H04B1/40 |
代理公司: | 北京春江专利商标代理事务所(普通合伙) 11835 | 代理人: | 向志杰 |
地址: | 315801 浙江省宁波市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种高频功率放大电路,其包括高频放大器,其特征在于,所述高频放大器包括:第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容,所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极,用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流;第一晶体管的发射极接地,集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源;第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极,第二晶体管的基极经电容接地,集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源,第二偏置电路连接于第二晶体管的基极,用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。本发明提供的高频功率放大电路减少了失真,且增大了输出功率。 | ||
搜索关键词: | 高频 功率 放大 电路 | ||
【主权项】:
一种高频功率放大电路,其包括高频放大器,其特征在于,所述高频放大器包括:第一晶体管、第二晶体管、第一高频扼流圈、第二高频扼流圈、第一偏置电路、第二偏置电路和电容,所述第一偏置电路连接于第一晶体管的基极用于按照控制电压给第一晶体管的基极提供偏置电流;第一晶体管的发射极接地,集电极经第一高频扼流圈连接于第一电源;第一晶体管的集电极还连接于第二晶体管的发射极,第二晶体管的基极经电容接地,集电极经第二高频扼流圈连接于第二电源,第二偏置电路连接于第二晶体管的基极,用于给第二晶体管的基极提供偏置电流。
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