[发明专利]一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法有效
| 申请号： | 201710366230.3 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108946735B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 赵宁;彭同华;刘春俊 | 申请（专利权）人： | 新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 832099 新疆维吾*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（SiC）粉料的合成方法。采用高纯碳粉和高纯硅粉为原料并混合均匀，将混合均匀后的粉末原料分为数份置于坩埚中，每份粉末原料之间用石墨片隔开，将坩埚放入加热炉中，抽真空到炉内部压力小于10‑3Pa后，充入压力为1×104Pa～9×104Pa范围内的惰性气体，再将炉内温度由室温升到SiC粉料合成温度并在此温度和惰性气体压力范围内保持5～30小时，然后将炉内温度降至室温，即可得到碳化硅晶体生长用大粒径(SiC)粉料。本发明制备出的大粒径SiC粉料弥补了现有技术合成的SiC粉料粒径偏小的不足，该方法和装置简单、易于推广、适合大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶体生长 粒径 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（SiC）粉料的合成方法，所述合成方法包括：采用高纯硅粉和高纯碳粉为原料并混合均匀，将混合均匀后的粉末原料分为数份置于坩埚中，每份粉末原料之间用石墨片隔离；将上述坩埚放入加热炉中，抽真空到炉内部压力小于10‑3Pa后，充入压力为1×104Pa到9×104Pa范围内的惰性气体；再将炉内温度由室温升到SiC粉料合成温度并在此温度和惰性气体压力为1×104Pa到9×104Pa范围内保持5～30小时；然后将炉内温度降至室温，即可得到碳化硅晶体生长用的大粒径SiC粉料。
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