[发明专利]一种β-氧化镓纳米阵列的制备方法

摘要

本发明公开了一种β‑氧化镓纳米阵列的制备方法，所述方法利用水浴法制备GaOOH种子层，然后利用水热法在种子层上制备GaOOH纳米阵列，最后通过热退火获得β‑Ga₂O₃纳米阵列。本发明的方法是一种绿色化学方法，采用化学方法种子层和纳米阵列，阵列排列整齐，尺寸均匀，制备方法简单廉价，易推广，利于大面积制备，并由于制备了GaOOH种子层，可不限定衬底，可使用石英、硅、透明导电衬底（ITO或FTO）、蓝宝石（C‑Al₂O₃）等衬底，利于不同的应用。

主权项

1.一种β‑氧化镓纳米阵列的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：一、利用水浴法制备GaOOH种子层：（1）配置Ga(NO3)3和六亚甲基四胺的混合溶液；（2）将所用衬底生长面向下放置在装有上述混合溶液的烧杯中，利用水浴法进行GaOOH种子层生长；（3）自然冷却后取出，经去离子水冲洗，烘干，得到GaOOH种子层；二、利用水热法制备GaOOH纳米阵列：（1）配置Ga(NO3)3和六亚甲基四胺的混合溶液；（2）将步骤一得到的带有GaOOH种子层的衬底经去离子水冲洗、烘干后放置在Ga(NO3)3和HMT的混合溶液中，利用水热法在种子层上制备GaOOH纳米阵列；（3）自然降温至室温，将衬底取出，去离子水冲洗，烘干，获得GaOOH纳米阵列；三、将步骤二得到的GaOOH纳米阵列放入退火炉中退火，然后自然冷却到室温，得到β‑氧化镓纳米线阵列。