[发明专利]OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201710368041.X | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107170782A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张锋;吕志军;刘文渠;董立文;张世政;党宁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 汪源,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种OLED基板及其制备方法、显示装置及其制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的OLED基板的制备方法所导致的薄膜晶体管的特性Vth漂移，影响基板稳定性，以及制备成本高、产能低的问题。本发明的OLED基板的制备方法，包括通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。 | ||
| 搜索关键词： | oled 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种OLED基板的制备方法，其特征在于，包括：通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括OLED器件的第一极和位于所述第一极所在层上方的像素限定层的图形；其中，所述像素限定层包括间隔设置的多个像素挡墙，每一个所述像素挡墙限定一个所述OLED器件的第一极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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