[发明专利]转接板的RDL封装成形方法有效
申请号: | 201710368236.4 | 申请日: | 2017-05-23 |
公开(公告)号: | CN107240579B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 王振杰 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L21/56 |
代理公司: | 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马永芬 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种转接板的RDL成形方法,包括:对转接板的正面进行不完全刻穿的刻蚀得到第一刻蚀纹路,对转接板的背面进行不完全刻穿的刻蚀得到第二刻蚀纹路,导通第一刻蚀纹路和所述第二刻蚀纹路,在第一刻蚀纹路和第二刻蚀纹路之间形成第三刻蚀纹路,对第一刻蚀纹路、第二刻蚀纹路和第三刻蚀纹路进行封装处理。通过本发明,可以在转接板内部形成RDL线路,提高了单一转接板的RDL线路数量,从而能够提高单一转接板上单位面积上所能承载的IO数量,提高转接板的集成度。 | ||
搜索关键词: | 转接 rdl 封装 成形 方法 | ||
【主权项】:
1.一种转接板的RDL成形方法,其特征在于,包括:/n对转接板的正面进行不完全刻穿的刻蚀得到第一刻蚀纹路;/n对所述转接板的背面进行不完全刻穿的刻蚀得到第二刻蚀纹路;/n通过填铜的方式导通所述第一刻蚀纹路和所述第二刻蚀纹路;/n在所述第一刻蚀纹路和所述第二刻蚀纹路之间填铜的部分进行刻蚀形成第三刻蚀纹路;/n对所述第一刻蚀纹路、所述第二刻蚀纹路和所述第三刻蚀纹路进行封装处理。/n
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