[发明专利]基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机有效
| 申请号： | 201710368617.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106992792B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 冯志红;王俊龙;杨大宝;梁士雄;张立森;赵向阳;邢东;徐鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H04B1/03 | 分类号： | H04B1/03;H04B1/04 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，涉及太赫兹技术领域。所述发射机包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体和位于所述盒体内的发射机电路，所述Si基镀金盒体包括位于内侧的Si壳体和位于Si壳体外侧的金属镀层。所述发射机的盒体采用MEMS工艺实现的Si盒体，通过镀金实现和金属相同的功能，质量轻，大大降低了发射机的重量，且采用MEMS工艺，系统集成度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 mems 工艺 220 ghz 赫兹 发射机 | ||
【主权项】：
一种基于MEMS工艺的220GHz太赫兹发射机，其特征在于：包括通过MEMS工艺制作的Si基镀金盒体（1）和位于所述盒体内的发射机电路，所述Si基镀金盒体（1）包括位于内侧的Si壳体（11）和位于Si壳体（11）外侧的金属镀层（12）。
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