[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201710368871.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107393800B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 竹田刚 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;刘伟志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，能够抑制等离子体带来的影响。具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；气体供给部，其经由缓冲室向衬底供给气体；电极，其设于缓冲室的下游，形成与缓冲室连通的气体流路；绝缘部，其设于电极的下游，具有与气体流路相邻的第1孔；分散部，其设于绝缘部的下游，具有多个第2孔，该第2孔与第1孔相邻并且与气体流路连通，并具有等离子体生成区域；电力供给部，其与电极连接；以及控制部，其控制气体供给部和电力供给部，以对绝缘部的下游侧、且等离子体生成区域供给电力，并在等离子体生成区域生成气体的等离子体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承所述衬底；气体供给部，其经由缓冲室向所述衬底供给气体；电极，其设于所述缓冲室的下游，具有突起部，该突起部形成有与所述缓冲室连通且向所述处理室供给所述气体的气体流路；绝缘部，其设于所述电极的下游，具有与所述气体流路相邻且供所述突起部插入的第1孔；分散部，其设于所述绝缘部的下游，具有多个第2孔，该第2孔与所述第1孔相邻并且供所述突起部插入，与所述气体流路连通，并具有等离子体生成区域，而且从所述突起部的前端至所述第2孔的下端为止的长度比所述第2孔的孔径构成得长；电力供给部，其与所述电极连接；以及控制部，其对所述气体供给部和所述电力供给部进行控制，以对所述等离子体生成区域供给电力，并在该等离子体生成区域生成所述气体的等离子体。
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