[发明专利]具有沟槽栅极结构的宽带隙半导体器件有效
| 申请号： | 201710368872.7 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107452803B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | R·西明耶科;T·艾钦格;W·伯格纳;R·埃斯特夫;K·费尔德拉普;D·屈克;D·彼得斯;R·拉普;C·施特伦格;B·齐佩利乌斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;张宁 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括从第一表面延伸至由宽带隙半导体材料形成的半导体本体中的沟槽栅极结构。沟槽栅极结构将半导体本体的台面部分彼此分离。在台面部分中，本体区域与漏极结构形成第一pn结并且直接地邻接第一台面侧壁。台面部分中源极区域与本体区域形成第二pn结，其中本体区域分离所述源极区域与所述漏极结构。源极区域直接地邻接第一台面侧壁以及与第一台面侧壁相对的第二台面侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 栅极 结构 宽带 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：沟槽栅极结构，从第一表面延伸进入由宽带隙半导体材料形成的半导体本体中，并且将所述半导体本体的台面部分彼此分离；在所述台面部分中的本体区域，其中所述本体区域与漏极结构形成第一pn结并且直接地邻接第一台面侧壁；以及在所述台面部分中的源极区域，所述源极区域与所述本体区域形成第二pn结，所述本体区域将所述源极区域与所述漏极结构分离，其中所述源极区域直接地邻接所述第一台面侧壁以及与所述第一台面侧壁相对的第二台面侧壁。
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