[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710369074.6 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107546203B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 童思频;王仁宏;潘兴强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体器件包括衬底，位于衬底的一部分上方的第一导电部件和位于衬底和第一导电部件上方的蚀刻停止层。蚀刻停止层包括含硅介电(SCD)层和位于SCD层上方的含金属介电(MCD)层。半导体器件进一步包括位于蚀刻停止层上方的介电层和位于介电层中的第二导电部件。第二导电部件穿透蚀刻停止层并且电连接至第一导电部件。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一导电部件，位于所述衬底的部分上方；蚀刻停止层，位于所述衬底和所述第一导电部件上方，其中，所述蚀刻停止层包括含硅介电(SCD)层和位于所述含硅介电层上方的含金属介电(MCD)层；介电层，位于所述蚀刻停止层上方；以及第二导电部件，位于所述介电层中，其中，所述第二导电部件穿透所述蚀刻停止层并且电连接至所述第一导电部件。
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