[发明专利]串联(IN-LINE)器件电性能测算方法及其测试结构有效
| 申请号： | 201710369263.3 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107507777B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 王振翰;林群雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种用于测算半导体器件的至少一种电性能的方法。方法包括：在衬底上形成半导体器件和至少一个测试单元；使用至少一种电子束辐照测试单元；测算通过电子束从测试单元诱导的电子；并且根据从测试单元测算的电子的密度测算半导体器件的电性能。本发明实施例涉及串联(IN‑LINE)器件电性能测算方法及其测试结构。 | ||
| 搜索关键词： | 串联 in line 器件 性能 测算 方法 及其 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种用于测算半导体器件的至少一种电性能的方法，所述方法包括：在衬底上形成所述半导体器件和至少一个测试单元；使用至少一种电子束辐照所述测试单元；测算通过所述电子束从所述测试单元诱导的电子；以及根据从所述测试单元测算的所述电子的密度测算所述半导体器件的所述电性能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710369263.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
