[发明专利]一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置有效
| 申请号： | 201710369602.8 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106995935B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 娄中士;刘铮;王遵义;郝大维;刘琨;王彦君;李立伟 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/12 | 分类号： | C30B13/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 李纳 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明创造提供了一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置包括主环形管及嵌套在主环形管管腔内的掺杂气环形管；主环形管及掺杂气环形管设有相互独立的进气口；主环形管上沿周向开设有若干个主出气孔，掺杂气环形管上沿周向开设有若干个掺杂气出气孔，主出气孔与掺杂气出气孔交错排布。本发明创造所述的掺杂装置能够有效改善炉体内掺杂气体浓度的均匀性和稳定性，确保生长出的区熔硅单晶径向电阻率分布的更加均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 区熔硅单晶 径向 电阻率 分布 掺杂 装置 | ||
【主权项】：
一种改善区熔硅单晶径向电阻率分布的掺杂装置，其特征在于：包括主环形管(1)及嵌套在所述主环形管(1)管腔内的掺杂气环形管(2)；所述主环形管(1)及所述掺杂气环形管(2)分别设有相互独立的进气口(3)；所述主环形管(1)上沿周向开设有若干个主出气孔(4)，所述掺杂气环形管(2)上沿周向开设有若干个掺杂气出气孔(5)，所述主出气孔(4)与所述掺杂气出气孔(5)交错排布。
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