[发明专利]可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法

摘要

本发明适用于光电领域，提供了一种可集成光电器件及其制作方法、多个光电器件的集成方法，该器件包括：多层结构的基底，基底从底至顶底依次包括衬底以及在衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；硅波导区，硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层。本发明通过III‑V的直接生长，在III‑V或着Si衬底上一次性直接生长各种III‑V光电器件层状结构，并使用无定型硅和SiO2为光波导，连接各个器件，避免使用键合技术和昂贵的SOI衬底，制作工艺简单，有利于大规模低成本生产。

主权项

1.一种可集成光电器件，其特征在于，所述光电器件包括：基底，所述基底为多层结构，所述基底从底至顶底依次包括衬底以及在所述衬底上依次逐层生长出的第一N型接触层、N型包层、第二N型接触层、有源区、P型接触层和无定型硅波导层；硅波导区，所述硅波导区通过将所述无定型硅波导层第一次刻蚀为条状结构形成，所述硅波导区的两侧均暴露出条状的P型接触层；III‑V族化合物波导区，所述III‑V族化合物波导区通过将所述P型接触层、所述有源区、所述第二N型接触层、所述N型包层在所述硅波导区两侧进行第二次刻蚀为条状结构形成，所述III‑V族化合物波导区的条状结构的宽度大于所述硅波导区的条状结构的宽度；第三金属接触区，所述第三金属接触区为所述硅波导区的两侧均暴露出条状的部分P型接触层；第一金属接触区，所述第一金属接触区通过刻蚀掉所述硅波导区两侧的部分P型接触层、有源区、第二N型接触层、N型包层，使刻蚀后的P型接触层、有源区、第二N型接触层、N型包层两侧暴露出条状的部分第一N型接触层形成，所述P型接触层和所述有源区、所述第二N型接触层、所述N型包层的刻蚀图形相同；电流隔离区，所述电流隔离区为刻蚀后的N型包层中进行离子注入或氧化的部分，所述电流隔离区位于所述硅波导区两侧对应的N型包层中；刻蚀后的N型包层在经过离子注入或氧化后形成N型功能区，所述N型功能区包括所述电流隔离区；所述第一金属接触区和所述第三金属接触区通过EBeam形成金属接触。