[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710370298.9 申请日: 2017-05-23
公开(公告)号: CN107634640B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 陈爽清;小川省吾 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;H02M1/08;G01R31/27
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供一种无需在半导体芯片上设置温度检测元件且不增加封装的控制端子数而能够通过简单的结构来精度良好地测定芯片温度的半导体装置。半导体装置具备:开关元件(11),其具有控制电极、第一主电极以及第二主电极;栅极驱动电路(2),其连接在控制电极与第一主电极之间,输出用于对控制电极进行驱动的栅极驱动信号;密勒电压检测器(10),其检测开关元件(11)的控制电极与第一主电极间的关断时的密勒电压;电流值检测电路(6),其检测流过开关元件(11)的主电流;以及温度计算电路(7),其根据所检测出的密勒电压和主电流来计算开关元件(11)的温度。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:开关元件,其具有控制电极、第一主电极以及第二主电极;栅极驱动电路,其连接在所述控制电极与所述第一主电极之间,输出用于对所述控制电极进行驱动的栅极驱动信号;密勒电压检测器,其检测所述开关元件的所述控制电极与所述第一主电极间的关断时的密勒电压;电流值检测电路,其检测流过所述开关元件的主电流;以及温度计算电路,其根据所检测出的所述密勒电压和所述主电流来计算所述开关元件的温度。
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