[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201710371303.8 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107437435B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 柳睿信;车相彦;郑会柱;赵诚珍 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/02 | 分类号： | G11C29/02;G11C29/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种操作半导体存储器件的方法。在操作包括含有多个存储体阵列的存储器单元阵列在内的半导体存储器件的方法中，测试存储器单元阵列的第一区域中的存储器单元以检测第一区域中的一个或多个故障单元，确定与所检测到的一个或多个故障单元相对应的故障地址，并且将所确定的故障地址存储在存储器单元阵列中与第一区域不同的第二区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作包括存储器单元阵列的半导体存储器件的方法，所述存储器单元阵列包括多个存储体阵列，所述方法包括：测试所述存储器单元阵列的第一区域中的存储器单元；确定与测试失败的存储器单元相对应的故障地址；以及将所确定的故障地址存储在所述存储器单元阵列中的第二区域中，所述第二区域不同于所述第一区域。
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