[发明专利]一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法有效
| 申请号： | 201710372202.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107313007B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 林育周 | 申请（专利权）人： | 林育周 |
| 主分类号： | C23C8/38 | 分类号： | C23C8/38;C23C8/26;C22C14/00;C23C14/16;C23C14/32;C23C28/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 许勇 |
| 地址： | 518117 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种充电接头、电子设备及充电接头强化方法。本发明公开了一种充电接头强化方法，包括步骤：在温度条件为400℃～460℃的真空条件下，通过离子氮化工艺在充电接头表面生成离子氮化层；在温度条件为440℃～460℃的条件下，采用渗金属工艺在离子氮化层表面生成Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层；在温度条件为180℃～200℃的真空条件下，利用离子镀工艺在Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层表面制备Ni膜层；通过电镀金工艺在Ni膜层表面制备电镀金层。采用本发明的强化方法，可有效提高手机充电接头的耐磨性和导电性。本发明还高能公开了一种充电接头和电子设备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 充电 接头 电子设备 强化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种充电接头强化方法，所述充电接头采用双相不锈钢材料制成，其特征在于，包括如下步骤：S1、在温度为400℃～460℃的真空条件下，通过离子氮化工艺在充电接头表面生成离子氮化层；S2、在温度为440℃～460℃的真空条件下，采用渗金属工艺在所述离子氮化层表面生成Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层；S3、在温度为180℃～200℃的真空条件下，利用离子镀工艺在所述Ti‑Mo‑Nb‑Nd‑N复合渗层表面制备Ni膜层；S4、通过电镀金工艺在所述Ni膜层表面制备电镀金层。
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