[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201710373089.X | 申请日: | 2017-05-24 |
公开(公告)号: | CN107437516B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 尾辻正幸 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/311 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供基板处理装置及基板处理方法,不仅能将基板的上表面中央部与相对面之间,还能将基板的上表面外周部与相对面之间使用处理液良好地填满,由此能够对基板的上表面实施均匀的处理液处理,该装置包括:基板保持单元,一边将基板保持为水平,一边使基板以通过基板的中央部的铅垂的旋转轴线为轴旋转;相对构件,具有与基板的上表面相对的相对面;处理液喷出单元,包括中央部喷出口和外周部喷出口,中央部喷出口在相对面与基板的上表面中央部相对地开口,外周部喷出口在相对面与基板的上表面外周部相对地开口,从中央部喷出口喷出处理液来向基板与相对面之间供给处理液,并且,从外周部喷出口喷出处理液来向基板与相对面之间补充处理液。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其中,包括:基板保持单元,一边将基板保持为水平,一边使上述基板以通过上述基板的中央部的铅垂的旋转轴线为轴旋转;相对构件,具有与上述基板的上表面相对的相对面;以及处理液喷出单元,包括中央部喷出口和外周部喷出口,上述中央部喷出口在上述相对面与上述基板的上表面中央部相对地开口,上述外周部喷出口在上述相对面与上述基板的上表面外周部相对地开口,上述处理液喷出单元从上述中央部喷出口喷出处理液来向上述基板与上述相对面之间供给处理液,并且,从上述外周部喷出口喷出处理液来向上述基板与上述相对面之间补充处理液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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