[发明专利]一种有机磷废水处理工艺

摘要

本发明公开了一种有机磷废水处理工艺，包括以下步骤：(1)将有机磷废水经微滤膜过滤，以去除固体杂质、胶体颗粒和悬浮颗粒；(2)将除杂后的有机磷废水经纳滤膜和反渗透膜组成的膜分离装置分离浓缩，得到浓缩液和清液；(3)将步骤(2)所得的浓缩液进行无机磷化处理，使浓缩液中的有机磷转化为无机磷盐；(4)往无机磷化处理的浓缩液中加入铵盐和镁盐，使无机磷盐发生鸟粪石沉淀反应，分离出上清液，完成有机磷废水处理。该有机磷废水处理工艺具有效率高、效果好、技术适用、经济可行等优点。

主权项

一种有机磷废水处理工艺，包括以下步骤：(1)将有机磷废水经微滤膜过滤，以去除固体杂质、胶体颗粒和悬浮颗粒；(2)将除杂后的有机磷废水经纳滤膜和反渗透膜组成的膜分离装置分离浓缩，得到浓缩液和清液；所述纳滤膜通过以下方法制得：a.制备陶瓷膜基体：制备采用平均孔径为300μm～500μm的泡沫沥青为原料，根据所需形状制备陶瓷膜预基体，浸入处于热处理炉中的熔融Si中，炉内保持惰性气氛，浸入时间为30min～60min；将陶瓷膜预基体从熔融Si中取出，炉内再升温150℃～250℃，保持惰性气氛，保温2h～4h后随炉冷却至室温，得到陶瓷膜基体；b.制备中间过渡层：含碳化硅浆料涂覆于步骤a所得的陶瓷膜基体表面，所述含碳化硅浆料由粒径为1μm～5μm的碳化硅粉末、聚碳硅烷、羟甲基纤维素醚和水混合而成；将经涂覆处理的陶瓷膜基体置于热处理炉中，在惰性气氛下进行烧结，温度为1200℃～1500℃，时间为1h～2h；得到表面有SiC中间过渡层的陶瓷膜基体；c.制备陶瓷膜层：将步骤b所得的表面有SiC中间过渡层的陶瓷膜基体置于热处理炉中，在炉内通入惰性气体，将炉内抽真空至800Pa～1000Pa后，将炉内温度升至1000℃～1100℃，持续通入气化的聚碳硅烷，时间为2h～5h，使聚碳硅烷的Si‑H键和C‑H键断裂，生成裂解产物均匀附着在SiC中间过渡层表面；保持惰性气氛，将炉内温度升至2000℃～2200℃，保温2h～5h，使裂解产物中的Si‑O键断裂，生成平均孔径为1nm～2nm的多孔纯SiC，得到纳滤膜；(3)将步骤(2)所得的浓缩液进行无机磷化处理，使浓缩液中的有机磷转化为无机磷盐；(4)往无机磷化处理的浓缩液中加入铵盐和镁盐，使无机磷盐发生鸟粪石沉淀反应，分离出上清液，完成有机磷废水处理。