[发明专利]磁感应器件及制造方法有效
| 申请号： | 201710374569.8 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN107104120B | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 方向明;伍荣翔;单建安 | 申请（专利权）人： | 成都线易科技有限责任公司;电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 610213 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的磁感应器件包括：衬底、第一金属层以及第一介质层，所述衬底的第一表面开设有凹槽，所述第一金属层设置于所述凹槽内，所述第一金属层的表面低于所述第一表面，所述第一金属层的表面与所述第一表面构成第一凹陷部，所述第一介质层设置于所述衬底的第一表面且所述第一介质层填充所述第一凹陷部。本发明实施例提供的磁感应器件以及制造方法通过第一金属层的表面低于衬底表面形成第一凹陷部，且第一介质层设置于衬底表面并填充第一凹陷部，使得第一金属层与表面金属层之间的介质厚度增加而其他区域的介质厚度不变，既能减小寄生电容和提高击穿电压，又能降低衬底翘曲以及介质层剥离的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 感应 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁感应器件，其特征在于，所述磁感应器件包括：衬底、第一金属层以及第一介质层，所述衬底的第一表面开设有凹槽，所述第一金属层设置于所述凹槽内，所述第一金属层的表面低于所述第一表面，所述第一金属层的表面与所述第一表面构成第一凹陷部，所述第一介质层设置于所述衬底的第一表面且所述第一介质层填充所述第一凹陷部，还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述第一介质层的远离所述第一表面的一面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都线易科技有限责任公司;电子科技大学，未经成都线易科技有限责任公司;电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710374569.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
