[发明专利]一种圆片级真空封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710374845.0 申请日: 2017-05-24
公开(公告)号: CN107188110B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 胡小东;杨志;胥超;张丹青 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;B81C3/00
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 夏素霞
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种圆片级真空封装结构及其制作方法,涉及微电子机械系统与圆片级封装技术领域;包括第一圆片和第二圆片,第一圆片上设有空腔,第一圆片下部设有键合区,第一圆片与第二圆片通过键合区进行圆片键合;第二圆片上设有待封装的器件;第一圆片上设有排气通孔,排气通孔与空腔相靠近;方法简单,通过在空腔邻近区域制备排气通孔,可以在很短的时间内,使空腔内的真空达到或接近键合设备腔室的真空。
搜索关键词: 一种 圆片级 真空 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种圆片级真空封装结构,其特征在于包括第一圆片(1)和第二圆片(2),所述第一圆片(1)上设有空腔(4),第一圆片(1)下部设有键合区(3),第一圆片(1)与第二圆片(2)通过键合区(3)进行圆片键合;所述第二圆片(2)上设有待封装的器件(6);所述第一圆片(1)上的空腔(4)旁边设有排气通孔;所述排气通孔(5)制作在器件彼此间的划片道内。
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