[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的实施方式提供一种能够抑制寄生晶体管的动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅极电极、第1电极、第2绝缘部、第3绝缘部、及第2电极。栅极电极隔着第1绝缘部设置在第1半导体区域中及第2半导体区域中，且在第1方向上延伸。第1电极设置在第3半导体区域之上，且与第3半导体区域电连接。第2绝缘部在第1半导体区域中与栅极电极相隔，且在第2方向上延伸。第3绝缘部具有在第1方向上延伸的第1绝缘部分。第1绝缘部分在第2方向上位于栅极电极与第2绝缘部之间。第2电极设置在第2绝缘部及第3绝缘部之上，且与栅极电极电连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，选择性设置在所述第1半导体区域之上；第1导电型的第3半导体区域，选择性设置在所述第2半导体区域之上；栅极电极，隔着第1绝缘部设置在所述第1半导体区域中及所述第2半导体区域中，且在第1方向上延伸；第1电极，设置在所述第3半导体区域之上，且与所述第3半导体区域电连接；第2绝缘部，在所述第1半导体区域中与所述栅极电极相隔，且在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；第3绝缘部，具有在所述第1方向上延伸的第1绝缘部分，且所述第1绝缘部分在所述第2方向上位于所述栅极电极与所述第2绝缘部之间，所述第3绝缘部在所述第1半导体区域中与所述栅极电极及所述第2绝缘部相隔；及第2电极，设置在所述第2绝缘部及所述第3绝缘部之上，且与所述栅极电极电连接。