[发明专利]包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法有效
| 申请号： | 201710377340.X | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107452738B | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 艾略特·约翰·史密斯;詹·候尼史奇尔;陈倪尔;史芬·拜耳 | 申请（专利权）人： | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法，其中，一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管以及伪栅极结构。该第一晶体管包括第一栅极结构。该第一栅极结构包括：包括高k介电材料的第一栅极绝缘层以及第一栅极电极。该第二晶体管包括第二栅极结构。该第二栅极结构包括：包括该高k介电材料的第二栅极绝缘层以及第二栅极电极。该伪栅极结构布置于该第一晶体管与该第二晶体管之间，且基本不包括该高k介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 栅极 结构 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：包括第一栅极结构的第一晶体管，该第一栅极结构包括第一栅极绝缘层及第一栅极电极，该第一栅极绝缘层包括高k介电材料；包括第二栅极结构的第二晶体管，该第二栅极结构包括第二栅极绝缘层及第二栅极电极，该第二栅极绝缘层包括该高k介电材料；以及伪栅极结构，布置于该第一晶体管与该第二晶体管之间，其中，该伪栅极结构基本不包括该高k介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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