[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201710377839.0 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108074817A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 王冠程;萧寒稊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种鳍式场效晶体管结构及其形成方法。在方法中，形成鳍于基底上，形成隔离区于鳍的相对侧上。隔离区掺杂有碳以形成掺杂区，以及移除隔离区的一部分以暴露鳍的顶部，其中隔离区被移除的部分包括至少一部分的掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离区 掺杂区 移除 鳍式场效晶体管 半导体装置 基底 掺杂 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一鳍于一基底上；形成一隔离区于该鳍的相对侧；利用碳掺杂该隔离区以形成一掺杂区；以及移除该隔离区的一部分以暴露该鳍的一顶部，其中该隔离区的该移除的部分包括该掺杂区的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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