[发明专利]一种电容耦合电路在审
申请号: | 201710377920.9 | 申请日: | 2017-05-25 |
公开(公告)号: | CN107134993A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 王亚杰 | 申请(专利权)人: | 北京海尔集成电路设计有限公司 |
主分类号: | H03K19/0175 | 分类号: | H03K19/0175;H03K19/0185 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100088 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种电容耦合电路,其中所述两个电容的前端分别连接输入端,且两个电容的后端分别连接输出端;其中所述两个电容的输出端通过串联的两个电阻连接;其特征在于,所述两个电阻都是一个poly电阻串联一个工作在线性区的PMOS管组成。上述方案中提出了一种电容耦合电路,其中电阻,采用了线性区的PMOS管组成部分电阻,传输共模电压VCM的电压值大于PMOS管的阈值电压值,这样的PMOS管的电阻值远大于相同尺寸的NMOS管,且PMOS管的面积和噪声都远小于poly电阻,但poly电阻阻值更稳定。因此,两个电阻都是poly电阻和工作在线性区的PMOS管组合构成。采用这种组合结构可以得到更优的电容耦合电路。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容 耦合 电路 | ||
【主权项】:
一种电容耦合电路,包括两个隔直电容,其中所述两个电容的前端分别连接输入端,且两个电容的后端分别连接输出端;其中所述两个电容的输出端通过串联的两个电阻电连接;其特征在于,所述两个电阻都为工作在线性区的PMOS管和poly电阻的组合。
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