[发明专利]从晶圆上拾取裸芯的方法有效
| 申请号： | 201710379470.7 | 申请日： | 2017-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN107452641B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 金昶振 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人： | 余文娟 |
| 地址： | 韩国忠清南道*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种从晶圆中拾取裸芯的方法。该方法包括检测晶圆第一裸芯的位置、拾起第一裸芯、确定是否跳过晶圆第二裸芯的位置检测步骤且当确定第二裸芯的位置检测步骤可跳过时拾起第二裸芯而不执行第二裸芯的位置检测步骤。当第二裸芯的位置检测步骤不可跳过时，第二裸芯在执行第二裸芯的位置检测步骤之后被拾起。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆上 拾取 方法 | ||
【主权项】：
从晶圆中拾起裸芯的方法，所述晶圆包括通过分割工艺被分成一个个的多个裸芯，所述方法包括：检测所述晶圆第一裸芯的位置；拾起所述第一裸芯；确定是否跳过所述晶圆第二裸芯的位置检测步骤；且当所述第二裸芯的位置检测步骤可跳过时拾起所述第二裸芯而不执行所述第二裸芯的位置检测步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司，未经细美事有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710379470.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
