[发明专利]一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带及其制备方法有效
| 申请号： | 201710381750.1 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107265460B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 高凤梅;李笑笑;陈善亮;王霖;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | C01B32/977 | 分类号： | C01B32/977;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带及其制备方法，属于材料制备技术领域。本发明的B掺杂SiC纳米带的宽度为1～4μm，厚度为80～90nm，B的掺杂量为6.5～7.5at.％，为单晶结构，相成份为3C‑SiC。本发明制得的纳米带具有大的宽厚比，表面光滑，结晶性良好，丰富了SiC纳米结构掺杂原子种类，有利于SiC纳米结构的功能化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽厚 掺杂 sic 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大宽厚比B掺杂SiC纳米带，包括，其特征在于，所述B掺杂SiC纳米带的宽度为1～4μm，厚度为80～90nm。
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