[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710383242.7 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107845677B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 玉城朋宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种寄生晶体管不易动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1电极、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域、栅极电极、第2导电型的第6半导体区域、第2电极及第3电极。第2半导体区域及第3半导体区域设置于第1半导体区域之下。第3半导体区域的第2导电型的载流子浓度低于第2半导体区域的第2导电型的载流子浓度。栅极电极与第4半导体区域对向。第6半导体区域设置于第1半导体区域之上，且位于第3半导体区域之上。第2电极介隔第1绝缘层而与第6半导体区域对向。第3电极与第2电极电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于具备：第1导电型的第1半导体区域；第2导电型的第2半导体区域，设置于所述第1半导体区域的一部分之下；第2导电型的第3半导体区域，设置于所述第1半导体区域的另一部分之下，且第2导电型的载流子浓度低于所述第2半导体区域；第1电极，设置于所述第2半导体区域及所述第3半导体区域之下；第2导电型的第4半导体区域，设置于所述第1半导体区域之上，且位于所述第2半导体区域之上；第1导电型的第5半导体区域，选择性地设置于所述第4半导体区域之上；栅极电极，介隔栅极绝缘层而与所述第4半导体区域对向；第2导电型的第6半导体区域，设置于所述第1半导体区域之上，且至少一部分位于所述第3半导体区域之上；第2电极，介隔第1绝缘层而与所述第6半导体区域对向；以及第3电极，设置于所述第4半导体区域、所述第5半导体区域及所述第6半导体区域之上，且与所述第4半导体区域、所述第5半导体区域、所述第6半导体区域及所述第2电极电连接。
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