[发明专利]一种磁应变测量方法

摘要

本发明属于记忆材料技术领域，具体涉及一种磁应变测量方法。其步骤为：1、将待测NiMnGa薄膜样品固定于夹持器内；2、将夹持器置于磁场和温度场环境中，在未加磁场前，利用强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在样品上烧蚀出第一个小孔，通过电磁场对样品施加磁场，磁场强度在0至2特斯拉之间调节，温度场范围为0至100摄氏度；样品伸长后，再用激光束位置不变的强激在样品上烧蚀出第二个小孔；3、测量样品上第一个小孔和第二个小孔之间的距离，其方法为：将样品的两个小孔通过成像镜头成像在线阵CCD芯片像敏元阵列上，通过平行光源垂直照射样品上的两个小孔，通过CCD输出端口的输出电压计算出两个小孔之间的距离△L。

主权项

1.一种磁应变测量方法，其特征在于：该测量方法的步骤为：步骤一、将待测NiMnGa薄膜样品放入夹持器内，并夹持NiMnGa薄膜样品的左端，其右端不受约束；步骤二、将夹持有NiMnGa薄膜样品的夹持器置于磁场和温度场环境中，在未加磁场前，利用强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在NiMnGa薄膜样品上烧蚀出第一个小孔，通过电磁场对NiMnGa薄膜样品施加磁场，磁场强度在0至2特斯拉之间调节，温度场范围为0至100摄氏度；NiMnGa薄膜样品伸长后，再用激光束位置不变的强激光脉冲照射NiMnGa薄膜样品，在NiMnGa薄膜样品上烧蚀出第二个小孔；步骤三、测量NiMnGa薄膜样品上第一个小孔和第二个小孔之间的距离，其测量方法为：将NiMnGa薄膜样品的两个小孔通过成像镜头成像在线阵CCD芯片像敏元阵列上，通过平行光源垂直照射NiMnGa薄膜样品上的两个小孔，使得光源垂直通过NiMnGa薄膜样品上的小孔，将成像部分设置在暗室环境中，通过线阵CCD芯片输出端口的输出电压计算出两个小孔之间的距离△L，计算公式为：t₁：线阵CCD芯片输出一个周期上升沿到输出图像信号最大峰值时间；t₂：当样品伸长后线阵CCD芯片输出一个周期上升沿到输出图像信号最大峰值时间；t₃：线阵CCD芯片一个扫描周期的输出时间；a：线阵CCD芯片一行光敏元的有效像元个数；b：线阵CCD芯片光敏元中心间距；β：光学系统放大倍数；步骤四、得出NiMnGa薄膜样品的应变量，应变量＝(△L/L)×100％，L为未加磁场前NiMnGa薄膜样品左端与第一个小孔之间的间距。