[发明专利]半导体存储装置及其的形成方法

摘要

本发明公开一种半导体存储装置及其的形成方法，其中，半导体存储装置包含多个主动区、多个栅极、多个位线、多个位线插塞以及多个盖层。多个主动区是定义于基底上，而多个栅极是设置在基底内。另一方面，多个位线则是设置在基底上，且部分位线的下方分别设置有多个位线插塞。多个盖层是设置在多个栅极之上，多个盖层包含多个绝缘部，其是突出于基底与位线插塞的顶表面，并介于各位线之间。

主权项

1.一种半导体存储装置，其特征在于包含：多个主动区，该些主动区是定义于一基底上；多个栅极，设置在该基底内；多个位线，设置在该基底上；多个位线插塞，分别设置在部分位线的下方；以及多个盖层，设置在该些栅极上，各该盖层包含突出于该基底的多个绝缘部，该些绝缘部介于各该位线之间，且该些绝缘部的顶表面高于该些位线插塞的顶表面。