[发明专利]硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法在审
| 申请号： | 201710384604.4 | 申请日： | 2017-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN107421940A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 满石清;陈金宝 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所53110 | 代理人： | 董建国 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，所述硼砂腐蚀的单晶硅表面增强拉曼基底是在单晶硅表面制备出适合于制作拉曼基底的微结构，单晶硅表面微结构上有一层纳米金薄膜。其制备方法包括（1）使用标准的清洗方法对反应前后的单晶硅表面进行清洗；（2）利用碱溶液对单晶硅表面的各向异性腐蚀性制备微结构；（3）使用108auto真空镀膜仪在制备好的单晶硅表面微结构上镀上厚度适宜的纳米金薄膜，并使用QE65 pro便携式拉曼光谱仪对单晶硅表面增强拉曼基底的增强性能进行测试。本发明的单晶硅表面增强拉曼基底具有良好的拉曼活性，对亚甲基蓝乙醇溶液的检测极限达到1×10‑5mol/L。 | ||
| 搜索关键词： | 硼砂 腐蚀 单晶硅 制作 表面 增强 基底 方法 | ||
【主权项】：
硼砂腐蚀单晶硅制作表面增强拉曼基底的方法，其特征在于，在单晶硅表面制备出适合于制作拉曼基底的微结构，单晶硅表面微结构上有一层纳米金薄膜。
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