[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在第一图案化层表面上沉积侧墙材料层之后，先在侧墙材料层上形成与第一栅极相对应的第二图案化层，然后以第二图案化层为掩膜，刻蚀侧墙材料层，形成了具有第一栅极图案和第二栅极图案的第三图案化层，由于第三图案化层没有严重的稀疏/密集负载效应，因此利用第三图案化层为掩膜，来刻蚀栅极层而形成的第一栅极和第二栅极没有刻蚀差异，避免了栅极的稀疏/密集负载效应，避免了异常边缘第二栅极的出现，进而保证了制造的半导体器件的性能。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有稀疏区和密集区的半导体衬底，在所述半导体衬底表面上依次形成栅极层以及第一图案化层，所述第一图案化层包括位于所述密集区上方的多个相互间隔的牺牲结构；在所述第一图案化层表面上依次形成侧墙材料层以及与所述稀疏区上待形成的第一栅极相对应的第二图案化层；以所述第二图案化层为掩膜，刻蚀所述侧墙材料层，以形成第三图案化层，所述第三图案化层包括所述第二图案化层底部保留的侧墙材料层部分以及覆盖在所述牺牲结构的侧壁上且与所述密集区待形成的第二栅极相对应的侧墙材料层部分；去除所述第一图案化层，并以所述第三图案化层为掩膜，刻蚀所述栅极层，以在所述稀疏区上方形成第一栅极和在所述密集区上方形成第二栅极。